中國 氧化鎵
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「中國 氧化鎵」文章包含有：「8英寸！中国氧化镓研发屡获突破！产业化再进一步」、「8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展」、「【時事短評】中國宣布管制「砷化鎵」等金屬出口」、「中国在氧化镓半导体方面的突破性进展有望提高新一代...」、「中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来」、「中國祭出鎵鍺相關物項出口管制涉半導體材料」、「我科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案」、「第四代半导体制备连获突破氧化...
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8英寸！中国氧化镓研发屡获突破！产业化再进一步
https://www.eet-china.com
2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6 ...
8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展
http://www.stcn.com
2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6 ...
【時事短評】中國宣布管制「砷化鎵」等金屬出口
https://blog.fugle.tw
中國商務部於2023/7/3 宣布，因國安考量，將從2023/8/1 開始對金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區熔鍺 ...
中国在氧化镓半导体方面的突破性进展有望提高新一代 ...
https://byteclicks.com
中国科学家取得了一项突破性进展，有望提高新一代半导体的生产。美国曾试图禁止向中国出口这种半导体，因为它在国防和关键基础设施等领域的应用。
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来
https://www.dramx.com
近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发， ...
中國祭出鎵鍺相關物項出口管制涉半導體材料
https://tw.stock.yahoo.com
根據公告，金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等 ...
我科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
http://finance.people.com.cn
作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前尚未解決，氧化鎵場效應晶體管面臨著增強型模式難以實現和功率品質因數難以提升等問題，因此急需設計新 ...
第四代半导体制备连获突破氧化镓将与碳化硅直接竞争？
https://m.yicai.com
我国第四代半导体材料制备近期连续取得突破。 3月14日，西安邮电大学宣布，该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓（GaO）外延片；此前在2 ...
第四代半导体来了，氧化镓能取代碳化硅？
https://m.huxiu.com
4. 氧化镓在功率电子、射频器件、新能源车、工业电力等领域有着广阔的应用前景和市场潜力。 5. 目前氧化镓市场主要由日本的两家公司垄断，中国在氧化镓 ...